单 FET,MOSFET

结果 : 8
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.Panjit International Inc.Vishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ P7OptiMOS™TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V60 V400 V700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA(Ta)1.8A(Tc)2.3A(Ta)4.5A(Tc)10A(Ta),50A(Tc)15A(Tc)50A63A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,2.5V2.5V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.5 毫欧 @ 20A,10V8.5 毫欧 @ 10A,10V12 毫欧 @ 25A,10V22 毫欧@ 13.5A,4.5V57 毫欧 @ 2.3A,2.5V1.2 欧姆 @ 900mA,10V3 欧姆 @ 500mA,10V7 欧姆 @ 1.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
750mV @ 11µA1V @ 250µA2V @ 1mA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA3.5V @ 40µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6 nC @ 10 V1.7 nC @ 2.5 V4.8 nC @ 10 V13 nC @ 10 V27 nC @ 4.5 V31 nC @ 5 V38 nC @ 4.5 V111.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±15V±16V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20 pF @ 25 V174 pF @ 400 V270 pF @ 25 V529 pF @ 10 V2317 pF @ 25 V3228 pF @ 15 V3600 pF @ 6 V6464 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)2W(Ta),60W(Tc)6W(Tc)6.3W(Tc)50W(Tc)83W107W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装
8-SOICDFN3333-8DFN5060DPAKPG-SOT223PG-SOT23TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果

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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
125,437
现货
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39580
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS806NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
537,928
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72872
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.3A(Ta)
1.8V,2.5V
57 毫欧 @ 2.3A,2.5V
750mV @ 11µA
1.7 nC @ 2.5 V
±8V
529 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6,747
现货
1 : ¥6.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.43396
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.8A(Tc)
10V
7 欧姆 @ 1.1A,10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DFN5060
MCAC50P03B-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Micro Commercial Co
9,977
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.95449
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
50A
4.5V,10V
5.5 毫欧 @ 20A,10V
2.8V @ 250µA
111.7 nC @ 10 V
±25V
6464 pF @ 15 V
-
83W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
8-SOIC
SQ4005EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Vishay Siliconix
8,144
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.28670
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
15A(Tc)
2.5V,4.5V
22 毫欧@ 13.5A,4.5V
1V @ 250µA
38 nC @ 4.5 V
±8V
3600 pF @ 6 V
-
6W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
DFN3333-8
PJQ4401P-AU_R2_000A1
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
4,564
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.11557
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
8.5 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±20V
3228 pF @ 15 V
-
2W(Ta),60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN3333-8
8-PowerVDFN
PG-SOT223
IPN70R1K2P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Infineon Technologies
708
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.81011
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
4.5A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 900mA,10V
3.5V @ 40µA
4.8 nC @ 10 V
±16V
174 pF @ 400 V
-
6.3W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
DPAK SOT428
BUK9214-30A,118
MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
Nexperia USA Inc.
0
现货
1 : ¥11.33000
剪切带(CT)
10,000 : ¥4.26369
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
63A(Tc)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 1mA
31 nC @ 5 V
±15V
2317 pF @ 25 V
-
107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 8

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。