单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Ta）21A（Ta），40A（Tc）25.4A（Ta），100A（Tc）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 30A，10V3 毫欧 @ 50A，10V5.5 毫欧 @ 80A，10V60 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 100µA3.1V @ 345µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.5 nC @ 4.5 V24 nC @ 10 V71 nC @ 10 V186 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
464.3 pF @ 15 V1500 pF @ 15 V3620 pF @ 30 V14000 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta）2.5W（Ta），125W（Tc）2.5W（Ta），48W（Tc）119W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1PG-TSDSON-8-FLSOT-23-3TO-252
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG3418L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
80,517
现货
93,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.74801
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
2.5V，10V
60 毫欧 @ 4A，10V
1.5V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±12V
464.3 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PG-TDSON-8-1
BSC030P03NS3GAUMA1
MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Infineon Technologies
5,402
现货
1 : ¥22.17000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.60162
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25.4A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
3 毫欧 @ 50A，10V
3.1V @ 345µA
186 nC @ 10 V
±25V
14000 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
RB098BM-40FNSTL
RD3L08BGNTL
MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Rohm Semiconductor
1,413
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.48377
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
80A（Tc）
4.5V，10V
5.5 毫欧 @ 80A，10V
2.5V @ 100µA
71 nC @ 10 V
±20V
3620 pF @ 30 V
-
119W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TSDSON-8
BSZ0902NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.82758
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
2.8 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。