单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.05A（Ta）24A（Ta），72A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.3 毫欧 @ 24A，10V200 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
570mV @ 1mA（典型值）2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.9 nC @ 4.5 V23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
152 pF @ 16 V1500 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
417mW（Ta）3W（Ta），27W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSOPTO-236AB
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSH105,235
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Nexperia USA Inc.
76,560
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.61570
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.05A（Ta）
1.8V，4.5V
200 毫欧 @ 600mA，4.5V
570mV @ 1mA（典型值）
3.9 nC @ 4.5 V
±8V
152 pF @ 16 V
-
417mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
HSOP8
RS1E240GNTB
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Rohm Semiconductor
3,661
现货
1 : ¥7.63000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.89475
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Ta），72A（Tc）
4.5V，10V
3.3 毫欧 @ 24A，10V
2.5V @ 1mA
23 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
3W（Ta），27W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。