单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-FemtoFET™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）2.2A（Ta）3.7A（Ta）4A（Ta）12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.5 毫欧 @ 12A，4.5V36 毫欧 @ 2.4A，4.5V39 毫欧 @ 4.7A，4.5V65 毫欧 @ 1A，10V1.5 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1V @ 250µA1.4V @ 250µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.15 nC @ 5 V14 nC @ 10 V15.5 nC @ 4.5 V19 nC @ 4.5 V34 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21 pF @ 5 V777 pF @ 30 V1020 pF @ 10 V1890 pF @ 10 V3957 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）510mW（Ta）690mW（Ta）750mW（Ta）2.4W（Ta）
供应商器件封装
3-PICOSTAR6-MicroFET（2x2）SOT-23-3（TO-236）TO-236AB
封装/外壳
3-SMD，无引线6-WDFN 裸露焊盘TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2323DS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Vishay Siliconix
54,686
现货
1 : ¥5.83000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.20355
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.7A（Ta）
1.8V，4.5V
39 毫欧 @ 4.7A，4.5V
1V @ 250µA
19 nC @ 4.5 V
±8V
1020 pF @ 10 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-WFDFN Exposed Pad
FDMA908PZ
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
onsemi
31,940
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.63126
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
12A（Ta）
1.8V，4.5V
12.5 毫欧 @ 12A，4.5V
1V @ 250µA
34 nC @ 4.5 V
±8V
3957 pF @ 6 V
-
2.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-MicroFET（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
CSDxxxxxF5x
CSD18541F5
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Texas Instruments
9,220
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86368
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.2A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 1A，10V
2.2V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
777 pF @ 30 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-SMD，无引线
SOT 23-3
NVR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
onsemi
18,918
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.51739
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.4V @ 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV32UP,215
MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Nexperia USA Inc.
8,760
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.54708
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
1.8V，4.5V
36 毫欧 @ 2.4A，4.5V
950mV @ 250µA
15.5 nC @ 4.5 V
±8V
1890 pF @ 10 V
-
510mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。