单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
HEXFET®OptiMOS™ 5StrongIRFET™2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.6A（Ta）20A（Ta），120A（Tc）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.85 毫欧 @ 60A，10V15 毫欧 @ 20A，10V70 毫欧 @ 4.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 33µA3V @ 250µA3.3V @ 52µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V40 nC @ 10 V68 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
870 pF @ 10 V2500 pF @ 50 V3000 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），63W（Tc）2.5W（Tc）3W（Ta），107W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOPG-TO252-3PG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF7205TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Infineon Technologies
23,931
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.42347
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.6A（Ta）
4.5V，10V
70 毫欧 @ 4.6A，10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 10 V
-
2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
1,505
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.27332
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
20A（Ta），120A（Tc）
6V，10V
3.85 毫欧 @ 60A，10V
3.3V @ 52µA
68 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 30 V
-
3W（Ta），107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-Power TDFN
BSZ150N10LS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
7,301
现货
1 : ¥12.97000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.64332
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 20A，10V
2.1V @ 33µA
35 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
2.1W（Ta），63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。