单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
HEXFET®SIPMOS®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）1.9A（Tc）11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13.5 毫欧 @ 11A，10V120 毫欧 @ 1A，10V6 欧姆 @ 350mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 108µA2V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.7 nC @ 5 V10 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
108 pF @ 25 V190 pF @ 10 V4030 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
830mW（Tc）1.8W（Ta）2.5W（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOPG-SOT223-4TO-236AB
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-4
BSP129H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Infineon Technologies
8,390
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.99025
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
350mA（Ta）
0V，10V
6 欧姆 @ 350mA，10V
1V @ 108µA
5.7 nC @ 5 V
±20V
108 pF @ 25 V
耗尽模式
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
TO-236AB
BSH108,215
MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Nexperia USA Inc.
97,100
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88237
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.9A（Tc）
5V，10V
120 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
10 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 10 V
-
830mW（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IRF7424TRPBF
MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Infineon Technologies
30,207
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
4,000 : ¥4.75914
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta）
4.5V，10V
13.5 毫欧 @ 11A，10V
2.5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4030 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。