单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）850mA（Ta）21.3A（Ta），86A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 15A，10V400 毫欧 @ 500mA，4.5V8 欧姆 @ 150mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
400mV @ 1mA（最小）2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.1 nC @ 4.5 V91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30 pF @ 30 V83 pF @ 24 V3840 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）540mW（Ta）5W（Ta），83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23TO-236AB
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSH103,215
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
20,668
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83571
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
850mA（Ta）
2.5V
400 毫欧 @ 500mA，4.5V
400mV @ 1mA（最小）
2.1 nC @ 4.5 V
±8V
83 pF @ 24 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
SIR826LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Vishay Siliconix
13,176
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.31745
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
21.3A（Ta），86A（Tc）
10V
5 毫欧 @ 15A，10V
2.4V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
3840 pF @ 40 V
-
5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
BSS84
BSS84
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
114,093
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26581
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
4.5V，10V
8 欧姆 @ 150mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 30 V
-
225mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。