单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemi
系列
HEXFET®PowerTrench®TrenchP™
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
55 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta），32A（Tc）18A（Tc）29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
36 毫欧 @ 32A，10V40 毫欧 @ 16A，10V120 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28 nC @ 10 V34 nC @ 10 V39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
700 pF @ 25 V1250 pF @ 25 V2100 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
68W（Tc）83W（Tc）95W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220-3TO-220AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRFZ34NPBF
MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
Infineon Technologies
4,138
现货
1 : ¥7.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
29A（Tc）
10V
40 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
FDP3682
MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3
onsemi
6,070
现货
10,400
工厂
1 : ¥11.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6A（Ta），32A（Tc）
6V，10V
36 毫欧 @ 32A，10V
4V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±20V
1250 pF @ 25 V
-
95W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
IXTP18P10T
MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
Littelfuse Inc.
1,766
现货
1 : ¥21.84000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18A（Tc）
10V
120 毫欧 @ 9A，10V
4.5V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±15V
2100 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。