单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.3A（Tc）35A（Ta），267A（Tc）180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 100A，10V1.7 毫欧 @ 90A，10V68 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.8V @ 279µA4V @ 650µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V106 nC @ 10 V222 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
550 pF @ 30 V7630 pF @ 50 V16900 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
3W（Tc）5.1W（Ta），291W（Tc）375W（Tc）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
8-TDFNW（8.3x8.4）PG-TO263-7SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-TDFNW AS Top
NTMTSC1D6N10MCTXG
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
onsemi
5,112
现货
6,000
工厂
1 : ¥53.03000
剪切带（CT）
3,000 : ¥25.81684
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
35A（Ta），267A（Tc）
-
1.7 毫欧 @ 90A，10V
4V @ 650µA
106 nC @ 10 V
±20V
7630 pF @ 50 V
-
5.1W（Ta），291W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装，可润湿侧翼
8-TDFNW（8.3x8.4）
8-PowerTDFN
TO-263-7, D2Pak
IPB015N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Infineon Technologies
982
现货
1 : ¥56.97000
剪切带（CT）
1,000 : ¥32.33112
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
180A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 279µA
222 nC @ 10 V
±20V
16900 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
SOT-23-3
SQ2362ES-T1_BE3
MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
13,788
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77579
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.3A（Tc）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 2.4A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 30 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。