单 FET，MOSFET

结果 : 14
制造商
Infineon TechnologiesonsemiQorvoRohm Semiconductor
系列
-CoolSiC™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V750 V900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A（Tj）34A（Tc）46A（Tc）51A（Tc）55A（Tc）56A（Tc）59A（Tc）66A（Tc）70A（Tc）98A（Tj）99A（Tc）105A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V15V，18V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16.9 毫欧 @ 58A，18V28.5 毫欧 @ 45A，18V29 毫欧 @ 40A，12V34 毫欧 @ 29A，18V34 毫欧 @ 38.3A，18V39 毫欧 @ 27A，18V43 毫欧 @ 20A，18V50 毫欧 @ 25A，18V59 毫欧 @ 17A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.3V @ 15.5mA4.3V @ 5mA4.3V @ 8mA4.8V @ 15.4mA4.8V @ 30.8mA4.8V @ 8.89mA5.6V @ 13.3mA5.7V @ 11mA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
37.8 nC @ 15 V63 nC @ 18 V87 nC @ 15 V94 nC @ 18 V104 nC @ 18 V105 nC @ 18 V164 nC @ 18 V170 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
±20V+21V，-4V+22V，-4V+22V，-8V+23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1400 pF @ 400 V1460 pF @ 500 V1526 pF @ 500 V1770 pF @ 450 V1870 pF @ 325 V2131 pF @ 400 V2320 pF @ 500 V3480 pF @ 15 V4580 pF @ 500 V14600 pF @ 500 V
功率耗散（最大值）
93W115W150W176W187W（Tc）189W（Tc）221W（Tc）262W267W306W（Tc）312W348W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO247-4-3TO-247-4TO-247-4LTO-247NTO-263-7L
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
显示
/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-4L
UJ4C075023K4S
750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Qorvo
762
现货
1 : ¥123.97000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
750 V
66A（Tc）
12V
29 毫欧 @ 40A，12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1400 pF @ 400 V
-
306W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
SCT4026DW7HRTL
SCT4013DW7TL
750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
363
现货
1 : ¥298.26000
剪切带（CT）
1,000 : ¥194.69637
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
98A（Tj）
18V
16.9 毫欧 @ 58A，18V
4.8V @ 30.8mA
170 nC @ 18 V
+21V，-4V
4580 pF @ 500 V
-
267W
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263-7L
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMZA65R027M1HXKSA1
IMZA65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Infineon Technologies
318
现货
1 : ¥148.35000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
59A（Tc）
18V
34 毫欧 @ 38.3A，18V
5.7V @ 11mA
63 nC @ 18 V
+23V，-5V
2131 pF @ 400 V
-
189W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-4-3
TO-247-4
TO-247-4
NTH4L025N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
onsemi
269
现货
4,050
工厂
1 : ¥164.85000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
99A（Tc）
15V，18V
28.5 毫欧 @ 45A，18V
4.3V @ 15.5mA
164 nC @ 18 V
+22V，-8V
3480 pF @ 15 V
-
348W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247N
SCT4013DEC11
750V, 105A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
366
现货
1 : ¥298.26000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
105A（Tj）
18V
16.9 毫欧 @ 58A，18V
4.8V @ 30.8mA
170 nC @ 18 V
+21V，-4V
4580 pF @ 500 V
-
312W
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247-4
NTH4L045N065SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
onsemi
287
现货
89,100
工厂
1 : ¥98.68000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
55A（Tc）
15V，18V
50 毫欧 @ 25A，18V
4.3V @ 8mA
105 nC @ 18 V
+22V，-8V
1870 pF @ 325 V
-
187W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
SCT4026DRHRC15
SCT4045DRC15
750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
4,859
现货
1 : ¥116.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
34A（Tc）
18V
59 毫欧 @ 17A，18V
4.8V @ 8.89mA
63 nC @ 18 V
+21V，-4V
1460 pF @ 500 V
-
115W
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247N
SCT4045DEC11
750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
4,206
现货
1 : ¥116.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
34A（Tc）
18V
59 毫欧 @ 17A，18V
4.8V @ 8.89mA
63 nC @ 18 V
+21V，-4V
14600 pF @ 500 V
-
115W
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247-4
NTH4L060N090SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
onsemi
109
现货
1 : ¥91.05000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
900 V
46A（Tc）
15V，18V
43 毫欧 @ 20A，18V
4.3V @ 5mA
87 nC @ 15 V
+22V，-8V
1770 pF @ 450 V
-
221W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
SCT4026DRHRC15
SCT3030ARC14
SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
Rohm Semiconductor
169
现货
1 : ¥283.73000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
70A（Tc）
18V
39 毫欧 @ 27A，18V
5.6V @ 13.3mA
104 nC @ 18 V
+22V，-4V
1526 pF @ 500 V
-
262W
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
SCT4026DW7HRTL
SCT4045DW7TL
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
675
现货
1 : ¥96.79000
剪切带（CT）
1,000 : ¥61.28442
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
31A（Tj）
18V
59 毫欧 @ 17A，18V
4.8V @ 8.89mA
63 nC @ 18 V
+21V，-4V
1460 pF @ 500 V
-
93W
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263-7L
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
SCT4026DRHRC15
SCT4045DRHRC15
750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
496
现货
1 : ¥119.62000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
34A（Tc）
18V
59 毫欧 @ 17A，18V
4.8V @ 8.89mA
63 nC @ 18 V
+21V，-4V
1460 pF @ 500 V
-
115W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
SCT4026DW7HRTL
SCT4026DW7HRTL
750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
1,000
现货
1 : ¥179.71000
剪切带（CT）
1,000 : ¥117.34022
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
51A（Tc）
18V
34 毫欧 @ 29A，18V
4.8V @ 15.4mA
94 nC @ 18 V
+21V，-4V
2320 pF @ 500 V
-
150W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263-7L
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
TO-247N
SCT4026DEHRC11
750V, 56A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
480
现货
1 : ¥179.71000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
56A（Tc）
18V
34 毫欧 @ 29A，18V
4.8V @ 15.4mA
94 nC @ 18 V
+21V，-4V
2320 pF @ 500 V
-
176W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
显示
/ 14

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。