单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A(Ta)18A(Tc)42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 42A,10V23 毫欧 @ 8.7A,10V155 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.8 nC @ 4.5 V25 nC @ 10 V180 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
182 pF @ 25 V1590 pF @ 30 V3500 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
900mW(Ta)62W(Tc)170W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
D2PAKPowerPAK® 1212-8WSOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8WTO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
onsemi
142,142
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70799
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.7A(Ta)
4.5V,10V
155 毫欧 @ 1A,10V
2.5V @ 250µA
2.8 nC @ 4.5 V
±20V
182 pF @ 25 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF4905STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Infineon Technologies
7,242
现货
1 : ¥22.25000
剪切带(CT)
800 : ¥12.42853
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
42A(Tc)
10V
20 毫欧 @ 42A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
170W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PowerPAK 1212-8W Bottom View
SQ7414CENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
Vishay Siliconix
22,608
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.12279
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
18A(Tc)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 8.7A,10V
2.5V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1590 pF @ 30 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8W
PowerPAK® 1212-8W
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。