单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

TK13P25D,RQ PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA Toshiba Semiconductor and Storage	2,148 现货	1 : ¥6.90000 剪切带（CT） 2,000 : ¥2.86621 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	13A（Ta）	10V	250 毫欧 @ 6.5A，10V	3.5V @ 1mA	25 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	96W（Tc）	150°C	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SI2343DS-T1-BE3 P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET Vishay Siliconix	4,921 现货	1 : ¥5.01000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.89518 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	最后售卖	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	3.1A（Ta）	4.5V，10V	53 毫欧 @ 4A，10V	3V @ 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	540 pF @ 15 V	-	750mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	SOT-23-3（TO-236）	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3