单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6OptiMOS™-5π-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V80 V100 V120 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）21A（Ta），190A（Tc）24A（Tc）29A（Ta），331A（Tc）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V4.5V，10V6V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 毫欧 @ 100A，10V1.7 毫欧 @ 150A，10V3.9 毫欧 @ 50A，10V30 毫欧 @ 12A，10V3 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 100µA2.2V @ 12µA3.6V @ 275µA3.8V @ 275µA4.6V @ 243µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 10 V93 nC @ 10 V141 nC @ 10 V231 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.3 pF @ 3 V670 pF @ 50 V7300 pF @ 75 V11000 pF @ 60 V16250 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）3W（Ta），395W（Tc）3.8W（Ta），319W（Tc）38W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-HDSOP-16-2PG-HSOF-8PG-HSOG-8-1PG-TDSON-8-33USM
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerSMD，鸥翼8-PowerTDFN16-PowerSOP 模块SC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-33
IAUC24N10S5L300ATMA1
MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Infineon Technologies
9,626
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.09138
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
24A（Tc）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 12A，10V
2.2V @ 12µA
11 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 50 V
-
38W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-33
8-PowerTDFN
1,737
现货
1 : ¥50.41000
剪切带（CT）
1,800 : ¥26.05702
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
300A（Tc）
6V，10V
1.2 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
231 nC @ 10 V
±20V
16250 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD，鸥翼
32,544
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39115
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.5V，4V
3 欧姆 @ 10mA，4V
1.1V @ 100µA
-
±10V
9.3 pF @ 3 V
-
150mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
USM
SC-70，SOT-323
0
现货
查看交期
1 : ¥65.67000
剪切带（CT）
1,800 : ¥37.24617
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
21A（Ta），190A（Tc）
8V，10V
3.9 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 243µA
93 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），319W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
IPT012N08NF2SATMA1
IPT017N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥52.21000
剪切带（CT）
2,000 : ¥27.75301
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
29A（Ta），331A（Tc）
8V，10V
1.7 毫欧 @ 150A，10V
3.6V @ 275µA
141 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 60 V
-
3W（Ta），395W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8
8-PowerSFN
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。