单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）45.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
42 毫欧 @ 20A，10V3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA4V @ 1mA
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7.1 pF @ 10 V1770 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）230W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKUMT3F
封装/外壳
SC-85TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
D2PAK SOT404
PHB45NQ15T,118
MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
Nexperia USA Inc.
5,977
现货
1 : ¥15.60000
剪切带（CT）
800 : ¥8.74085
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
45.1A（Tc）
10V
42 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 1mA
32 nC @ 10 V
±20V
1770 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
UMT3F
RU1C001UNTCL
MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Rohm Semiconductor
31,066
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53143
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.2V，4.5V
3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±12V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
UMT3F
SC-85
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。