单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Texas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.2A（Ta）18A（Tj）32A（Ta），100A（Tc）61A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V3V，8V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 30A，8V11.3 毫欧 @ 15A，10V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V71 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.6V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.2 nC @ 4.5 V16.4 nC @ 10 V23 nC @ 10 V31 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V+10V，-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
773 pF @ 50 V808 pF @ 15 V1368 pF @ 30 V4280 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta）3.2W（Ta）65W（Tc）91W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）LFPAK33SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNSOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
431,351
现货
3,480,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.41722
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK33
PSMN075-100MSEX
MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
48,860
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.73059
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18A（Tj）
10V
71 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 1mA
16.4 nC @ 10 V
±20V
773 pF @ 50 V
-
65W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
LFPAK33
PSMN011-60MSX
MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
1,500
现货
1 : ¥6.07000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.58293
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
61A（Tc）
10V
11.3 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 1mA
23 nC @ 10 V
±20V
1368 pF @ 30 V
-
91W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
8-Power TDFN
CSD17311Q5
MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Texas Instruments
3,919
现货
1 : ¥15.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.09836
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
32A（Ta），100A（Tc）
3V，8V
2 毫欧 @ 30A，8V
1.6V @ 250µA
31 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
4280 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。