单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
系列
-UltraFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
漏源电压(Vdss)
55 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
75A(Tc)120A(Tj)170A(Tc)286A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.9 毫欧 @ 25A,10V4.2 毫欧 @ 25A,10V4.8 毫欧 @ 25A,10V8 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.6V @ 1mA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
110 nC @ 10 V210 nC @ 20 V232 nC @ 10 V278 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3200 pF @ 25 V8000 pF @ 40 V14400 pF @ 50 V17140 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
285W(Tc)294W(Tc)340W(Tc)405W(Tc)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKLFPAK56,Power-SO8LFPAK88(SOT1235)TO-247-3
封装/外壳
SOT-1023,4-LFPAKSOT-1235TO-247-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-1023
PSMN4R2-80YSEX
PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
Nexperia USA Inc.
2,593
现货
1 : ¥23.81000
剪切带(CT)
1,500 : ¥11.30035
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
170A(Tc)
10V
4.2 毫欧 @ 25A,10V
3.6V @ 1mA
110 nC @ 10 V
±20V
8000 pF @ 40 V
-
294W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SOT-1023,4-LFPAK
D2PAK SOT404
PSMN4R8-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Nexperia USA Inc.
9,558
现货
1 : ¥34.73000
剪切带(CT)
800 : ¥20.97388
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tj)
10V
4.8 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
278 nC @ 10 V
±20V
14400 pF @ 50 V
-
405W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 AB EP
HUF75344G3
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
onsemi
637
现货
1 : ¥30.95000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
75A(Tc)
10V
8 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
210 nC @ 20 V
±20V
3200 pF @ 25 V
-
285W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
PSMN1R9-80SSEJ
PSMN1R9-80SSEJ
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥47.86000
剪切带(CT)
2,000 : ¥23.29515
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
286A(Tc)
10V
1.9 毫欧 @ 25A,10V
3.6V @ 1mA
232 nC @ 10 V
±20V
17140 pF @ 40 V
-
340W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK88(SOT1235)
SOT-1235
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。