单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V40 V450 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
140mA（Ta）2.6A（Ta）4.3A（Ta）18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 9.3A，10V40 毫欧 @ 2.6A，4.5V45 毫欧 @ 4A，4.5V50 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.5V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.8 nC @ 4.5 V17 nC @ 4.5 V62 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
70 pF @ 25 V634 pF @ 10 V1138 pF @ 6 V1980 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）800mW（Ta）2W（Ta）3.7W（Ta），39W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SOT-223-3SOT-23-3
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDN306P
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
onsemi
11,357
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20097
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
2.6A（Ta）
1.8V，4.5V
40 毫欧 @ 2.6A，4.5V
1.5V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±8V
1138 pF @ 6 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2045U-7
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
51,702
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.67385
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
45 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
6.8 nC @ 4.5 V
±8V
634 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-3
ZVN0545GTA
MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223
Diodes Incorporated
45,372
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.06455
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
450 V
140mA（Ta）
10V
50 欧姆 @ 100mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
70 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
PowerPAK 1212-8
SI7611DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
13,737
现货
1 : ¥12.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.84464
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
18A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 9.3A，10V
3V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
1980 pF @ 20 V
-
3.7W（Ta），39W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。