单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedPanjit International Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）160mA（Ta）300mA（Ta）630mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V1.8V，4.5V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
400 毫欧 @ 600mA，4.5V2 欧姆 @ 500mA，10V4.2 欧姆 @ 160mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V0.74 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±6V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 15 V50 pF @ 25 V60.67 pF @ 16 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）223mW（Ta）280mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMG1012T-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Diodes Incorporated
359,135
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43430
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-523
2N7002T-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
Diodes Incorporated
122,551
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59045
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-523
DMN601TK-7
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
Diodes Incorporated
39,314
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81754
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SBA120CS-AUR1A1XXX
PJE138L_R1_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
25,280
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.69314
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
160mA（Ta）
1.8V，10V
4.2 欧姆 @ 160mA，10V
1.5V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
15 pF @ 15 V
-
223mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。