单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
CoolSiC™OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
100 V750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
98A（Tc）300A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，18V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 100A，10V22 毫欧 @ 41.5A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 275µA5.6V @ 14.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
80 nC @ 18 V216 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V+23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2869 pF @ 500 V16011 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
375W（Tc）384W（Tc）
供应商器件封装
PG-HDSOP-16-2PG-HDSOP-22
封装/外壳
16-PowerSOP 模块22-PowerBSOP 模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N10S5N015TATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
1,329
现货
1 : ¥57.96000
剪切带（CT）
1,800 : ¥32.88633
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tj）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
216 nC @ 10 V
±20V
16011 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
AIMDQ75R016M1HXUMA1
SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Infineon Technologies
556
现货
1 : ¥184.96000
剪切带（CT）
750 : ¥122.67403
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
98A（Tc）
0V，18V
22 毫欧 @ 41.5A，18V
5.6V @ 14.9mA
80 nC @ 18 V
+23V，-5V
2869 pF @ 500 V
-
384W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-HDSOP-22
22-PowerBSOP 模块
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。