单 FET，MOSFET

结果 : 3
包装
托盘散装
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300A（Tc）400A（Tc）600A（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.6V @ 106.8mA5.6V @ 182mA5.6V @ 80mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15000 pF @ 10 V17000 pF @ 10 V28000 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1360W（Tc）1570W（Tc）2460W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
BSM300D12P3E005
BSM300C12P3E201
SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Rohm Semiconductor
4
现货
1 : ¥5,135.28000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
300A（Tc）
-
-
5.6V @ 80mA
+22V，-4V
15000 pF @ 10 V
-
1360W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
BSM400C12P3G202
BSM400C12P3G202
SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Rohm Semiconductor
4
现货
1 : ¥7,512.04000
托盘
-
托盘
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
400A（Tc）
-
-
5.6V @ 106.8mA
+22V，-4V
17000 pF @ 10 V
-
1570W（Tc）
175°C（TJ）
底座安装
模块
模块
BSM180C12P2E202
BSM600C12P3G201
SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Rohm Semiconductor
0
现货
查看交期
4 : ¥10,268.79000
托盘
-
托盘
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
600A（Tc）
-
-
5.6V @ 182mA
+22V，-4V
28000 pF @ 10 V
-
2460W（Tc）
175°C（TJ）
底座安装
模块
模块
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。