单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Ta），49A（Tc）22A（Ta），90A（Tc）430A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 20A，10V2.5 毫欧 @ 22A，10V2.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 102µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
61 nC @ 10 V143 nC @ 10 V272 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3900 pF @ 20 V12000 pF @ 30 V16010 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.2W（Ta），78W（Tc）2.3W（Ta），40W（Tc）600W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
MG-WDSON-2，CanPAK M™Power33PowerPAK® 8 x 8
封装/外壳
3-WDSON8-PowerTDFNPowerPAK® 8 x 8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Power33
FDMC8321L
MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
onsemi
4,088
现货
1 : ¥20.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.11985
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
22A（Ta），49A（Tc）
4.5V，10V
2.5 毫欧 @ 22A，10V
3V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 20 V
-
2.3W（Ta），40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Power33
8-PowerTDFN
PowerPAK-8x8L
SQJQ184E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Vishay Siliconix
3,004
现货
1 : ¥28.08000
剪切带（CT）
2,000 : ¥13.64804
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
430A（Tc）
10V
1.4 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 250µA
272 nC @ 10 V
±20V
16010 pF @ 25 V
-
600W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
3-WDSON
BSB028N06NN3GXUMA1
MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Infineon Technologies
14,268
现货
1 : ¥23.23000
剪切带（CT）
5,000 : ¥10.06860
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
22A（Ta），90A（Tc）
10V
2.8 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 102µA
143 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 30 V
-
2.2W（Ta），78W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
MG-WDSON-2，CanPAK M™
3-WDSON
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。