单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V60 V75 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A(Ta)4.2A(Ta)20.73A(Tc)30A(Tc)39A(Tc)50A(Tc)64A(Tc)68A(Tc)70A(Tc)80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.5 毫欧 @ 20A,10V7 毫欧 @ 15A,10V10 毫欧 @ 13.5A,10V14毫欧 @ 10,8A,10V24毫欧 @ 8,2A,10V25 毫欧 @ 10.5A,10V33 毫欧 @ 7A,10V53 毫欧 @ 10A,10V90 毫欧 @ 3.6A,4.5V130 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 50µA2.15V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.2V @ 250µA3.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7 nC @ 4.5 V10.7 nC @ 5 V17 nC @ 10 V26 nC @ 10 V29 nC @ 10 V35 nC @ 10 V64 nC @ 10 V69 nC @ 10 V137 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
594.3 pF @ 10 V616 pF @ 30 V1137 pF @ 25 V1250 pF @ 20 V1630 pF @ 25 V2036 pF @ 25 V2300 pF @ 20 V2360 pF @ 15 V2590 pF @ 30 V5350 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
660mW(Ta),7,5W(Tc)800mW(Ta)60.4W(Tc)64W(Tc)66W(Tc)110W(Tc)136W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
6-TSOPLFPAK56,Power-SO8SOT-23-3TO-252AA
封装/外壳
SC-100,SOT-669SC-74,SOT-457TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2302U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
341,195
现货
84,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60514
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
2.5V,4.5V
90 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1V @ 50µA
7 nC @ 4.5 V
±8V
594.3 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-252
SQD50P08-25L_GE3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Vishay Siliconix
13,679
现货
1 : ¥21.75000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.82561
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
50A(Tc)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 10.5A,10V
2.5V @ 250µA
137 nC @ 10 V
±20V
5350 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
6-TSOP
PMN100EPAX
MOSFET P-CH 60V 2.5A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
24,989
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.03290
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.5A(Ta)
4.5V,10V
130 毫欧 @ 2.5A,10V
3.2V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
616 pF @ 30 V
-
660mW(Ta),7,5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y58-75B,115
MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
10,403
现货
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.79523
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
20.73A(Tc)
5V,10V
53 毫欧 @ 10A,10V
2.15V @ 1mA
10.7 nC @ 5 V
±15V
1137 pF @ 25 V
-
60.4W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK6Y24-40PX
MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
10,663
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.25692
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
39A(Tc)
4.5V,10V
24毫欧 @ 8,2A,10V
3V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
1250 pF @ 20 V
-
66W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y6R5-40HX
MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
4,791
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.34285
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
70A(Tc)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 20A,10V
2.15V @ 1mA
29 nC @ 10 V
±20V
2036 pF @ 25 V
-
64W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK6Y10-30PX
MOSFET P-CH 30V 80A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
1,649
现货
1 : ¥9.60000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.21993
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
80A(Tc)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 13.5A,10V
3V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
2360 pF @ 15 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK6Y14-40PX
MOSFET P-CH 40V 64A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
630
现货
1 : ¥9.77000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.30531
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
64A(Tc)
4.5V,10V
14毫欧 @ 10,8A,10V
3V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 20 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK6Y33-60PX
MOSFET P-CH 60V 30A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
16,915
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.46999
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
30A(Tc)
4.5V,10V
33 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
2590 pF @ 30 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y7R0-40HX
MOSFET N-CH 40V 68A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,745
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.69119
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
68A(Tc)
10V
7 毫欧 @ 15A,10V
3.6V @ 1mA
26 nC @ 10 V
±20V
1630 pF @ 25 V
-
64W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
显示
/ 10

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。