单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-OptiMOS™PowerTrench®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150mA（Ta）320mA（Ta）3.6A（Ta）5.8A（Ta）6.2A（Ta）20A（Ta），93A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 30A，10V24 毫欧 @ 6.2A，4.5V26.5 毫欧 @ 5.8A，10V35 毫欧 @ 4A，4.5V1.6 欧姆 @ 300mA，10V7.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 5 V0.8 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V15.4 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V42 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
36 pF @ 25 V50 pF @ 10 V860 pF @ 15 V895 pF @ 10 V1610 pF @ 10 V3500 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）720mW（Ta）810mW（Ta）1.6W（Ta）2.5W（Ta），57W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-5SOT-23-3SOT-323SuperSOT™-6
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70，SOT-323SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
942,405
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMP2035U-7
MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3
Diodes Incorporated
54,759
现货
984,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77923
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.6A（Ta）
1.8V，4.5V
35 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
15.4 nC @ 4.5 V
±8V
1610 pF @ 10 V
-
810mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SG6858TZ
FDC637BNZ
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
onsemi
20,384
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.18638
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.2A（Ta）
2.5V，4.5V
24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
1.5V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
895 pF @ 10 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
8-Power TDFN
BSC042N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
Infineon Technologies
4,342
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.21986
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta），93A（Tc）
4.5V，10V
4.2 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
SOT-323
BSS84AKW,115
MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323
Nexperia USA Inc.
57,247
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36468
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
150mA（Ta）
10V
7.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMN3042L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Diodes Incorporated
230,049
现货
684,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77923
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
2.5V，10V
26.5 毫欧 @ 5.8A，10V
1.4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±12V
860 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。