单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedMicro Commercial Co
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
260mA(Ta)1.3A(Ta)2.5A(Ta)3.1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
75 毫欧 @ 4.2A,10V90 毫欧 @ 1.5A,4.5V460 毫欧 @ 200mA,4.5V2.5 欧姆 @ 300mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA1V @ 250µA1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.9 nC @ 4.5 V1.22 nC @ 10 V3.5 nC @ 4.5 V19.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
21 pF @ 30 V40.8 pF @ 25 V335 pF @ 15 V839 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
200mW490mW(Ta)500mW(Ta)1.15W(Ta)
供应商器件封装
DFN1006-3SOT-323TSOT-26X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-XFDFNSC-101,SOT-883SC-70,SOT-323SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
ESDLC5V0LTB-TP
2N7002KL3A-TP
N-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3
Micro Commercial Co
17,873
现货
1 : ¥1.40000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.13990
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 300mA,10V
2.5V @ 250µA
1.22 nC @ 10 V
±20V
21 pF @ 30 V
-
200mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DFN1006-3
SC-101,SOT-883
SOT-323
DMP2165UW-7
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 T&R
Diodes Incorporated
18,223
现货
2,370,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70205
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.5A(Ta)
1.8V,4.5V
90 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
335 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
TSOT-26
DMP3105LVT-7
MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6
Diodes Incorporated
32,885
现货
123,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81634
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.1A(Ta)
2.5V,10V
75 毫欧 @ 4.2A,10V
1.5V @ 250µA
19.8 nC @ 10 V
±12V
839 pF @ 15 V
-
1.15W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
X2-DFN1006-3
DMN3732UFB4-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Diodes Incorporated
10,000
现货
90,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.30025
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.3A(Ta)
1.8V,4.5V
460 毫欧 @ 200mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.9 nC @ 4.5 V
±8V
40.8 pF @ 25 V
-
490mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。