单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
270mA（Ta）30A（Ta），75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.3 毫欧 @ 30A，10V2.8 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1 nC @ 10 V94 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.6 pF @ 10 V5860 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta），1.67W（Tc）2.4W（Ta），54W（Tc）
供应商器件封装
6-TSSOPPower33
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3638-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Power33
FDMC8010
MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
onsemi
11,910
现货
1 : ¥18.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.20456
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30A（Ta），75A（Tc）
4.5V，10V
1.3 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 1mA
94 nC @ 10 V
±20V
5860 pF @ 15 V
-
2.4W（Ta），54W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
SOT363
NX7002BKSX
MOSFET N-CH 60V 270MA 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
995
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45078
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270mA（Ta）
5V，10V
2.8 欧姆 @ 200mA，10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
310mW（Ta），1.67W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。