单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Tc）8A（Ta），40A（Tc）70A（Tc）82A（Ta），100A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.62 毫欧 @ 20A，10V0.88 毫欧 @ 20A，10V6.8 毫欧 @ 70A，10V16 毫欧 @ 20A，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 150µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3.5V @ 12µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 10 V91 nC @ 10 V188 nC @ 10 V204 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V1700 pF @ 50 V7720 pF @ 15 V9530 pF @ 15 V10500 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）2.1W（Ta），63W（Tc）6.25W（Ta），125W（Tc）100W（Tc）104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO252-3PG-TSDSON-8PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8DCSOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
413,995
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37018
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Tc）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSZ160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
44,957
现货
1 : ¥13.46000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.29708
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
8A（Ta），40A（Tc）
6V，10V
16 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 12µA
25 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 50 V
-
2.1W（Ta），63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD068P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Infineon Technologies
6,368
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.29537
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
70A（Tc）
4.5V，10V
6.8 毫欧 @ 70A，10V
2V @ 150µA
91 nC @ 10 V
±20V
7720 pF @ 15 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPAK SO-8
SIR638DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
7,477
现货
1 : ¥13.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.90016
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
4.5V，10V
0.88 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
204 nC @ 10 V
+20V，-16V
10500 pF @ 20 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8DC
SIDR392DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
Vishay Siliconix
10,833
现货
1 : ¥15.11000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.00519
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
82A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
0.62 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
188 nC @ 10 V
+20V，-16V
9530 pF @ 15 V
-
6.25W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。