单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-PowerTrench®TrenchMOS™U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）150mA（Ta）170mA（Ta）220mA（Ta）250mA（Ta）240A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 80A，10V1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V3 欧姆 @ 500mA，10V6 欧姆 @ 100mA，10V6 欧姆 @ 120mA，10V8 欧姆 @ 50mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1.6V @ 250µA2.6V @ 1mA2.8V @ 1mA4V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.34 nC @ 4.5 V2.4 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12.2 pF @ 3 V20 pF @ 25 V27 pF @ 25 V36 pF @ 10 V40 pF @ 25 V6655 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）225mW（Ta）250mW（Ta）350mW（Ta）500mW（Ta）300W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HPSOFSOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SSMTO-236ABVESM
封装/外壳
8-PowerSFNSC-75，SOT-416SOT-723TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
320,582
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.38885
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 120mA，10V
2.8V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
250mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
31,865
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48925
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
159,602
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49108
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 100mA，10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
50,705
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.28037
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
-
8 欧姆 @ 50mA，4V
-
-
-
12.2 pF @ 3 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
8,131
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32003
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
250mA（Ta）
1.2V，4.5V
1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V
1V @ 100µA
0.34 nC @ 4.5 V
±10V
36 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
8-PowerDFN
FDBL86566-F085
MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
onsemi
5,988
现货
14,000
工厂
1 : ¥26.19000
剪切带（CT）
2,000 : ¥12.73890
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
240A（Tc）
10V
2.4 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
6655 pF @ 30 V
-
300W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。