单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Infineon TechnologiesMicrochip TechnologyonsemiQorvoSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ P7CoolMOS™S7MDmesh™UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）
250 V600 V650 V750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
23A（Tc）38A（Tc）40A（Ta）42A（Tc）44A（Tc）46A（Tc）48A（Tc）64A（Tc）77A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22 毫欧 @ 23A，12V29 毫欧 @ 40A，12V41 毫欧 @ 44.4A，10V45 毫欧 @ 24.9A，10V55 毫欧 @ 15A，10V55 毫欧 @ 18A，10V60 毫欧 @ 15.9A，10V63 毫欧 @ 21A，10V69 毫欧 @ 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.6V @ 2.96mA4V @ 1.25mA4V @ 1.69mA4V @ 800µA4.5V @ 1.44mA4.5V @ 900µA5V @ 250µA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
37.8 nC @ 15 V61 nC @ 10 V65 nC @ 10 V67 nC @ 10 V79 nC @ 10 V93 nC @ 10 V100 nC @ 10 V150 nC @ 12 V260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1400 pF @ 400 V2870 pF @ 25 V2895 pF @ 400 V3194 pF @ 400 V3680 pF @ 300 V4340 pF @ 400 V4400 pF @ 100 V5639 pF @ 300 V13600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
164W（Tc）178W（Tc）227W（Tc）250W（Tc）270W（Tc）278W（Tc）307W（Tc）390W（Tc）481W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAK-7D3PAKPG-TO220-3-1PG-TO263-3PG-TO263-3-2TO-263（D2PAK）TOLL
封装/外壳
8-PowerSFNTO-220-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CATO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263
FDB44N25TM
MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
onsemi
1,883
现货
1 : ¥21.18000
剪切带（CT）
800 : ¥11.84561
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
44A（Tc）
10V
69 毫欧 @ 22A，10V
5V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±30V
2870 pF @ 25 V
-
307W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R060P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Infineon Technologies
2,826
现货
1 : ¥51.15000
剪切带（CT）
1,000 : ¥26.43128
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
48A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 15.9A，10V
4V @ 800µA
67 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 400 V
-
164W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R055CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3
Infineon Technologies
1,048
现货
1 : ¥57.39000
剪切带（CT）
1,000 : ¥32.55938
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
38A（Tc）
10V
55 毫欧 @ 18A，10V
4.5V @ 900µA
79 nC @ 10 V
±20V
3194 pF @ 400 V
-
178W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2Pak
STB43N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
STMicroelectronics
2,284
现货
1 : ¥74.63000
剪切带（CT）
1,000 : ¥42.33521
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
42A（Tc）
10V
63 毫欧 @ 21A，10V
5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±25V
4400 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R045C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Infineon Technologies
821
现货
1 : ¥102.05000
剪切带（CT）
1,000 : ¥62.79972
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
46A（Tc）
10V
45 毫欧 @ 24.9A，10V
4V @ 1.25mA
93 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
2,532
现货
1 : ¥44.58000
剪切带（CT）
2,000 : ¥21.69197
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
40A（Ta）
10V
55 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 1.69mA
65 nC @ 10 V
±30V
3680 pF @ 300 V
-
270W（Tc）
150°C
-
-
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
TO-220-3
IPP60R022S7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3
Infineon Technologies
1,230
现货
1 : ¥90.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
23A（Tc）
12V
22 毫欧 @ 23A，12V
4.5V @ 1.44mA
150 nC @ 12 V
±20V
5639 pF @ 300 V
-
390W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
UF3C120080B7S
UJ4C075023B7S
750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Qorvo
1,015
现货
1 : ¥118.80000
剪切带（CT）
800 : ¥81.99931
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
750 V
64A（Tc）
12V
29 毫欧 @ 40A，12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1400 pF @ 400 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
D3PAK
APT77N60SC6/TR
MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
Microchip Technology
252
现货
1 : ¥127.25000
剪切带（CT）
400 : ¥109.84875
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
77A（Tc）
10V
41 毫欧 @ 44.4A，10V
3.6V @ 2.96mA
260 nC @ 10 V
±20V
13600 pF @ 25 V
-
481W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。