单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
Dual Cool™, PowerTrench®EOptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
漏源电压(Vdss)
80 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
24A(Ta),76A(Tc)47A(Tc)300A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 毫欧 @ 100A,10V3.1 毫欧 @ 24A,10V54 毫欧 @ 26.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 275µA4.5V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
92 nC @ 10 V101 nC @ 10 V231 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3722 pF @ 100 V7005 pF @ 40 V16250 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
3.2W(Ta),125W(Tc)278W(Tc)375W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)PG-HDSOP-16-2TO-263(D2PAK)
封装/外壳
8-PowerTDFN16-PowerSOP 模块TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN TOP
FDMS86300DC
MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
onsemi
675
现货
1 : ¥24.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.94711
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
24A(Ta),76A(Tc)
8V,10V
3.1 毫欧 @ 24A,10V
4.5V @ 250µA
101 nC @ 10 V
±20V
7005 pF @ 40 V
-
3.2W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
D2PAK(TO-263)
SIHB053N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Vishay Siliconix
1,010
现货
1 : ¥49.91000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
47A(Tc)
10V
54 毫欧 @ 26.5A,10V
5V @ 250µA
92 nC @ 10 V
±30V
3722 pF @ 100 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N08S5N012TATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥55.58000
剪切带(CT)
1,800 : ¥31.53306
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
300A(Tj)
6V,10V
1.2 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 275µA
231 nC @ 10 V
±20V
16250 pF @ 40 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。