单 FET，MOSFET

结果 : 5
系列
CoolMOS™ CFD7OptiMOS®-P2OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V80 V200 V250 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
24A（Tc）44A（Tc）52A（Tc）73A（Tc）180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 100A，10V8.9 毫欧 @ 70A，10V22 毫欧 @ 52A，10V55 毫欧 @ 15.1A，10V67 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 279µA4V @ 120µA4V @ 137µA4V @ 90µA4.5V @ 760µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V43 nC @ 10 V67 nC @ 10 V70 nC @ 10 V222 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2410 pF @ 125 V2721 pF @ 400 V3680 pF @ 100 V4810 pF @ 25 V16900 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
75W（Tc）150W（Tc）214W（Tc）236W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-HSOF-8-2PG-TDSON-8-1PG-TO252-3-313PG-TO263-7PG-TSON-8-3
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD70P04P409ATMA2
MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Infineon Technologies
9,814
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.59798
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
73A（Tc）
-
8.9 毫欧 @ 70A，10V
4V @ 120µA
70 nC @ 10 V
±20V
4810 pF @ 25 V
-
75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TSON-8-3
BSC220N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Infineon Technologies
11,250
现货
1 : ¥40.23000
剪切带（CT）
5,000 : ¥18.77393
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
52A（Tc）
10V
22 毫欧 @ 52A，10V
4V @ 137µA
43 nC @ 10 V
±20V
3680 pF @ 100 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
TO-263-7, D2Pak
IPB015N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Infineon Technologies
950
现货
1 : ¥56.98000
剪切带（CT）
1,000 : ¥32.33320
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
180A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 279µA
222 nC @ 10 V
±20V
16900 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
PG-TDSON-8-1
BSC670N25NSFDATMA1
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
Infineon Technologies
14,746
现货
1 : ¥27.59000
剪切带（CT）
5,000 : ¥12.89052
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
24A（Tc）
10V
67 毫欧 @ 24A，10V
4V @ 90µA
30 nC @ 10 V
±20V
2410 pF @ 125 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TOLLLEADLESS
IPT60R055CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Infineon Technologies
1,990
现货
1 : ¥58.54000
剪切带（CT）
2,000 : ¥31.11769
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
44A（Tc）
10V
55 毫欧 @ 15.1A，10V
4.5V @ 760µA
67 nC @ 10 V
±20V
2721 pF @ 400 V
-
236W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。