单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Vishay Siliconix
系列
-HEXFET®HiPerFET™, Polar
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
100 V200 V500 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Tc）18A（Tc）23A（Tc）80A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 40A，10V117 毫欧 @ 11A，10V150 毫欧 @ 11A，10V4.4 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 10 V67 nC @ 10 V97 nC @ 10 V197 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
350 pF @ 25 V1160 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V12700 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），42W（Tc）140W（Tc）150W（Tc）1040W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220ABTO-251AATO-264AA（IXFK）
封装/外壳
TO-220-3TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AATO-264-3，TO-264AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF640NPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
53,657
现货
1 : ¥6.81000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
18A（Tc）
10V
150 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
IRF9540NPBF
IRF9540NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Infineon Technologies
5,255
现货
1 : ¥11.41000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
10V
117 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
97 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-264
IXFK80N50P
MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA
Littelfuse Inc.
175
现货
1 : ¥175.35000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
80A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 40A，10V
5V @ 8mA
197 nC @ 10 V
±30V
12700 pF @ 25 V
-
1040W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-264AA（IXFK）
TO-264-3，TO-264AA
TO-251AA
IRFUC20PBF
MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
Vishay Siliconix
2
现货
1 : ¥12.64000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
2A（Tc）
10V
4.4 欧姆 @ 1.2A，10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。