单 FET，MOSFET

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
55 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.6A（Tc）10A（Tc）12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
175 毫欧 @ 7.2A，10V180 毫欧 @ 6A，10V480 毫欧 @ 3.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V20 nC @ 5 V27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
350 pF @ 25 V440 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
40W（Tc）45W（Tc）48W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-220ABTO-252AA (DPAK)
封装/外壳
TO-220-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF9Z24NPBF
MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
Infineon Technologies
5,513
现货
1 : ¥6.57000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
12A（Tc）
10V
175 毫欧 @ 7.2A，10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO252-3
IRFR9120NTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Infineon Technologies
8,043
现货
1 : ¥9.36000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.86277
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.6A（Tc）
10V
480 毫欧 @ 3.9A，10V
4V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220AB PKG
IRL520NPBF
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
Infineon Technologies
8,470
现货
1 : ¥8.21000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
10A（Tc）
4V，10V
180 毫欧 @ 6A，10V
2V @ 250µA
20 nC @ 5 V
±16V
440 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。