单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Taiwan Semiconductor CorporationTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.9A（Ta）15A（Ta），50A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.6 毫欧 @ 17A，10V45 毫欧 @ 3.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 10 V19 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
540 pF @ 20 V1656 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）3.1W（Ta），77W（Tc）
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）SOT-23
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD18504Q5A
MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
Texas Instruments
15,733
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.71224
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
6.6 毫欧 @ 17A，10V
2.4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
1656 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta），77W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2318CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
145,340
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.02278
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
3.9A（Ta）
4.5V，10V
45 毫欧 @ 3.9A，10V
3V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。