单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
onsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）4.5A（Ta）6.1A（Tc）23A（Ta），180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.5V，4.5V4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1 毫欧 @ 38A，10V28 毫欧 @ 5.2A，4.5V38 毫欧 @ 4.5A，10V2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.5V @ 250µA2V @ 934µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 4.5 V9.5 nC @ 5 V24 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±10V±12V+16V，-12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12 pF @ 10 V520 pF @ 10 V600 pF @ 10 V4040 pF @ 13 V
功率耗散（最大值）
100mW（Ta）600mW（Ta）820mW（Ta），52W（Tc）1.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TA）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（3.3x3.3）SOT-23-3SSMTSMT6（SC-95）
封装/外壳
8-PowerWDFNSC-75，SOT-416SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDN028N20
MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
onsemi
2,958
现货
18,000
工厂
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.42845
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.1A（Tc）
2.5V，4.5V
28 毫欧 @ 5.2A，4.5V
1.5V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±12V
600 pF @ 10 V
-
1.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-WDFN
NTTFS1D2N02P1E
MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
onsemi
623
现货
1 : ¥17.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.85829
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
23A（Ta），180A（Tc）
4.5V，10V
1 毫欧 @ 38A，10V
2V @ 934µA
24 nC @ 4.5 V
+16V，-12V
4040 pF @ 13 V
-
820mW（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
831
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.30227
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.5V，4.5V
2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 1mA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW（Ta）
150°C（TA）
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
TSMT6_TSMT6 Pkg
RSQ045N03TR
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Rohm Semiconductor
0
现货
在售
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.5A（Ta）
4V，10V
38 毫欧 @ 4.5A，10V
2.5V @ 1mA
9.5 nC @ 5 V
±20V
520 pF @ 10 V
-
600mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT6（SC-95）
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。