单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
55 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 50A，10V65 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA3.5V @ 75µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 5 V55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
480 pF @ 25 V4000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
45W（Tc）114W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRLR024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Infineon Technologies
65,875
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.82995
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
17A（Tc）
4V，10V
65 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 250µA
15 nC @ 5 V
±16V
480 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TDSON-8-1
BSC070N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Infineon Technologies
29,023
现货
1 : ¥13.96000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.04982
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
90A（Tc）
6V，10V
7 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 75µA
55 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 50 V
-
114W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。