单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-HEXFET®OptiMOS™ 6PowerTrench®STripFET™ F7U-MOSIV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V40 V50 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）115mA（Tc）130mA（Ta）600mA（Ta）680mA（Ta）2.5A（Ta）13A（Tc）24A（Tc）25A（Ta），40A（Tc）130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.7V，4.5V4.5V，10V5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 20A，10V3.5 毫欧 @ 13A，10V95 毫欧 @ 14A，10V107 毫欧 @ 2A，10V295 毫欧 @ 6.6A，10V300 毫欧 @ 600mA，4.5V450 毫欧 @ 500mA，4.5V7.5 欧姆 @ 500mA，10V8 欧姆 @ 150mA，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2V @ 1mA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA2.8V @ 1mA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1 nC @ 4.5 V1.3 nC @ 5 V2.3 nC @ 4.5 V7 nC @ 10 V31 nC @ 10 V42 nC @ 10 V45 nC @ 10 V66 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 25 V50 pF @ 25 V50 pF @ 10 V60 pF @ 10 V73 pF @ 25 V235 pF @ 30 V860 pF @ 25 V890 pF @ 25 V2600 pF @ 25 V2700 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）225mW（Ta）300mW（Ta）350mW（Ta）625mW（Ta）1W（Ta）2.5W（Ta），83W（Tc）4.8W（Ta），125W（Tc）110W（Tc）140W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8-34PowerFlat™（5x6）SC-89-3SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-23FTO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-89，SOT-490SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
441,109
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33716
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002L
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
79,147
现货
246,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.38480
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
onsemi
241,059
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59362
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
680mA（Ta）
2.7V，4.5V
450 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.5V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
20,158
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88136
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
107 毫欧 @ 2A，10V
2.8V @ 1mA
7 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT 23-3
BSS84
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
127,063
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.06404
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
4.5V，10V
8 欧姆 @ 150mA，10V
2.5V @ 250µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
73 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IRFR6215TRPBF
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Infineon Technologies
11,515
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.76594
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
13A（Tc）
10V
295 毫欧 @ 6.6A，10V
4V @ 250µA
66 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT 23-3
2N7002LT7G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
57,057
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,500 : ¥0.33717
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Tc）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IRFR24N15DTRPBF
MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
Infineon Technologies
1,965
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.76027
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
24A（Tc）
10V
95 毫欧 @ 14A，10V
5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±30V
890 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TSDSON-8
BSZ021N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Infineon Technologies
12,143
现货
1 : ¥16.17000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.78961
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
25A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
2.1 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-34
8-PowerVDFN
PowerFlat™
STL130N6F7
MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
STMicroelectronics
11,403
现货
1 : ¥18.06000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.56798
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
130A（Tc）
10V
3.5 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
4.8W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
PowerTrench Series SC-89-3
FDY302NZ
MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3
onsemi
0
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77857
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
600mA（Ta）
1.8V，4.5V
300 毫欧 @ 600mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.1 nC @ 4.5 V
±12V
60 pF @ 10 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。