单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A（Ta）5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 5A，4.5V77 毫欧 @ 4.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 4.5 V24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
864 pF @ 15 V900 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）1.25W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3TSMT6（SC-95）
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3130LQ-7
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23
Diodes Incorporated
43,388
现货
414,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02253
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.5A（Ta）
2.5V，10V
77 毫欧 @ 4.2A，10V
1.3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±12V
864 pF @ 15 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSMT6_TSMT6 Pkg
RQ6C050UNTR
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Rohm Semiconductor
40,902
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15957
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5A（Ta）
1.5V，4.5V
30 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 1mA
12 nC @ 4.5 V
±10V
900 pF @ 10 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSMT6（SC-95）
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。