单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
50 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）3.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 欧姆 @ 1.1A，18V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA4V @ 900µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V14 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
±20V+22V，-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
46 pF @ 25 V184 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）35W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23-3TO-3PFM
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-3PFM，SC-93-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN53D0LQ-7
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Diodes Incorporated
186,136
现货
3,516,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52956
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
500mA（Ta）
2.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
1.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
46 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-3PFM
SCT2H12NZGC11
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Rohm Semiconductor
2,213
现货
1 : ¥59.19000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
3.7A（Tc）
18V
1.5 欧姆 @ 1.1A，18V
4V @ 900µA
14 nC @ 18 V
+22V，-6V
184 pF @ 800 V
-
35W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-3PFM
TO-3PFM，SC-93-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。