单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
OptiMOS™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Tc）540mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
650 毫欧 @ 270mA，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 2.7µA2.5V @ 250µA
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V75 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）830mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT23TO-236AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
628,378
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39013
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Tc）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS670S2LH6327XTSA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Infineon Technologies
19,685
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.58244
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
540mA（Ta）
4.5V，10V
650 毫欧 @ 270mA，10V
2V @ 2.7µA
2.26 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。