单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-HEXFET®
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
55 V100 V200 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）9A（Tc）17A（Tc）18A（Tc）33A（Tc）49A（Tc）74A（Tc）110A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 62A，10V17.5 毫欧 @ 25A，10V20 毫欧 @ 38A，10V44 毫欧 @ 16A，10V90 毫欧 @ 9A，10V150 毫欧 @ 11A，10V850 毫欧 @ 4.5A，10V850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28 nC @ 10 V37 nC @ 10 V38 nC @ 10 V39 nC @ 10 V63 nC @ 10 V67 nC @ 10 V71 nC @ 10 V146 nC @ 10 V180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
920 pF @ 25 V1018 pF @ 25 V1042 pF @ 25 V1100 pF @ 25 V1160 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V1470 pF @ 25 V1960 pF @ 25 V3247 pF @ 25 V3400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
70W（Tc）94W（Tc）125W（Tc）130W（Tc）150W（Tc）192W（Tc）200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220TO-220AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF530NPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Infineon Technologies
41,138
现货
1 : ¥7.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A（Tc）
10V
90 毫欧 @ 9A，10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 25 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF640NPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
61,441
现货
1 : ¥9.60000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
18A（Tc）
10V
150 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Infineon Technologies
22,968
现货
1 : ¥10.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
49A（Tc）
10V
17.5 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF540NPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Infineon Technologies
139,805
现货
1 : ¥10.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
33A（Tc）
10V
44 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF3205PBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Infineon Technologies
22,279
现货
1 : ¥13.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
110A（Tc）
10V
8 毫欧 @ 62A，10V
4V @ 250µA
146 nC @ 10 V
±20V
3247 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF840PBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
3,048
现货
1 : ¥15.27000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
8A（Tc）
10V
850 毫欧 @ 4.8A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF4905PBF
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Infineon Technologies
44,140
现货
1 : ¥18.47000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
74A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 38A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
14,922
现货
1 : ¥11.00000
管件
-
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
9A（Tc）
10V
850 毫欧 @ 4.5A，10V
4.5V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±30V
1042 pF @ 25 V
-
192W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB
IRF840APBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
8,607
现货
1 : ¥15.27000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
8A（Tc）
10V
850 毫欧 @ 4.8A，10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±30V
1018 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF840PBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
3,287
现货
1 : ¥15.27000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
8A（Tc）
10V
850 毫欧 @ 4.8A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF840LCPBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
5,778
现货
1 : ¥17.40000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
8A（Tc）
10V
850 毫欧 @ 4.8A，10V
4V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±30V
1100 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。