单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
OptiMOS™U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Ta）5.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
160 毫欧 @ 1.4A，10V198 毫欧 @ 2.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 3.7µA4V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 5 V7 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
94 pF @ 15 V600 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）700mW（Ta），39W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-TSON Advance（3.1x3.1）PG-SOT23
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
612,461
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51341
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.4A（Ta）
4.5V，10V
160 毫欧 @ 1.4A，10V
2V @ 3.7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
15,952
现货
1 : ¥11.90000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.15920
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
5.6A（Ta）
10V
198 毫欧 @ 2.8A，10V
4V @ 200µA
7 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 100 V
-
700mW（Ta），39W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。