单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
onsemiSTMicroelectronics
系列
-PowerTrench®SuperMESH3™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带盒（TB）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V80 V100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
600mA（Tc）3A（Ta）7.6A（Ta）8.4A（Ta），32A（Tc）15.5A（Ta）17A（Tc）21A（Ta）21A（Ta），78A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 80A，10V4.5 毫欧 @ 35A，10V27 毫欧 @ 8.4A，10V29 毫欧 @ 7.6A，10V35 毫欧 @ 7.6A，10V81 毫欧 @ 17A，10V110 毫欧 @ 1.5A，10V150 毫欧 @ 7.5A，5V4.5 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7 nC @ 5 V12 nC @ 10 V20 nC @ 10 V22 nC @ 10 V23 nC @ 10 V26 nC @ 5 V27 nC @ 5 V46 nC @ 10 V82 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
235 pF @ 50 V455 pF @ 25 V462 pF @ 15 V620 pF @ 25 V1190 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V1800 pF @ 25 V2380 pF @ 20 V4950 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）2.5W（Ta）2.5W（Tc）3.6W（Ta），50W（Tc）28W（Ta）65W（Tc）69W（Tc）71W（Tc）227W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-SOICDPAKSOT-223（TO-261）TO-252AATO-92-3
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
DPAK_369C
NTD20P06LT4G
MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
onsemi
6,193
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.65904
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
15.5A（Ta）
5V
150 毫欧 @ 7.5A，5V
2V @ 250µA
26 nC @ 5 V
±20V
1190 pF @ 25 V
-
65W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FDD4685
MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
onsemi
12,404
现货
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.86102
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8.4A（Ta），32A（Tc）
4.5V，10V
27 毫欧 @ 8.4A，10V
3V @ 250µA
27 nC @ 5 V
±20V
2380 pF @ 20 V
-
69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-SOIC
FDS3580
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
onsemi
14,738
现货
1 : ¥12.81000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.28541
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
7.6A（Ta）
6V，10V
29 毫欧 @ 7.6A，10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-92-3
STQ2LN60K3-AP
MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
STMicroelectronics
6,743
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.70242
带盒（TB）
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
600mA（Tc）
10V
4.5 欧姆 @ 1A，10V
4.5V @ 50µA
12 nC @ 10 V
±30V
235 pF @ 50 V
-
2.5W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NTD6416ANT4G
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
onsemi
12,773
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.05969
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A（Tc）
10V
81 毫欧 @ 17A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 25 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FDD86567-F085
MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
onsemi
2,563
现货
1 : ¥19.05000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.59052
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
10V
3.2 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
82 nC @ 10 V
±20V
4950 pF @ 30 V
-
227W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C460NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
onsemi
1,230
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.89453
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
21A（Ta），78A（Tc）
4.5V，10V
4.5 毫欧 @ 35A，10V
2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3.6W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
SOT-223 (TO-261)
NTF3055-100T1G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
onsemi
1,721
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.21847
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
10V
110 毫欧 @ 1.5A，10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
455 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
TO-252AA
FDD6630A
MOSFET N-CH 30V 21A TO252
onsemi
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta）
4.5V，10V
35 毫欧 @ 7.6A，10V
3V @ 250µA
7 nC @ 5 V
±20V
462 pF @ 15 V
-
28W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。