单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™STripFET™ F6TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16.9A（Ta），35A（Tc）19A（Ta），30A（Tc）29A（Ta），100A（Tc）42A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.9 毫欧 @ 30A，10V7 毫欧 @ 20A，10V7.2 毫欧 @ 15A，10V18 毫欧 @ 5A，10V26 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 4.5 V26 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V33 nC @ 10 V102 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1225 pF @ 20 V2200 pF @ 15 V2850 pF @ 25 V3595 pF @ 15 V3780 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），50W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）4.2W（Ta），39W（Tc）75W（Tc）100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN（5x6）PG-TDSON-8-6PowerFlat™（5x6）PowerPAK® 1212-8SH
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8SH
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AON6236
MOSFET N-CH 40V 19A/30A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
199,786
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.03235
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
19A（Ta），30A（Tc）
4.5V，10V
7 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1225 pF @ 20 V
-
4.2W（Ta），39W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
PowerFlat™
STL42P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
STMicroelectronics
23,732
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.54394
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
42A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 4.5 V
±20V
2850 pF @ 25 V
-
75W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
PowerPAK 1212-8SH
SISH101DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Vishay Siliconix
16,551
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.00116
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
16.9A（Ta），35A（Tc）
4.5V，10V
7.2 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
102 nC @ 10 V
±25V
3595 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
8-Power TDFN
BSC0501NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Infineon Technologies
11,778
现货
1 : ¥8.62000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.15170
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
29A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
1.9 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 15 V
肖特基二极管（体）
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
PowerFlat™
STL42P6LLF6
MOSFET P-CH 60V 42A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,527
现货
1 : ¥14.70000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.61149
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
42A（Tc）
4.5V，10V
26 毫欧 @ 4.5A，10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
3780 pF @ 25 V
-
100W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。