单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.3A（Ta）6.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 4A，10V400 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.4 nC @ 10 V18.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
32 pF @ 16 V873 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
660mW（Ta）900mW（Ta）
供应商器件封装
SOT-23-3X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-XFDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN3023L-7
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Diodes Incorporated
213,690
现货
5,766,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83182
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.2A（Ta）
2.5V，10V
25 毫欧 @ 4A，10V
1.8V @ 250µA
18.4 nC @ 10 V
±20V
873 pF @ 15 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
X2-DFN1006-3
DMN2451UFB4Q-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Diodes Incorporated
8,035
现货
90,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.28193
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.3A（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
6.4 nC @ 10 V
±12V
32 pF @ 16 V
-
660mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。