单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Ta），24A（Tc）14A（Ta）31A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.45 毫欧 @ 50A，10V8.7 毫欧 @ 14A，10V10 毫欧 @ 11A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.35V @ 25µA2.4V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 4.5 V48 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1020 pF @ 15 V1543 pF @ 25 V4000 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）2.5W（Ta），96W（Tc）2.8W（Ta）
供应商器件封装
8-SOPG-TDSON-8 FLPQFN（3x3）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF8714TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Infineon Technologies
31,538
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.17638
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14A（Ta）
4.5V，10V
8.7 毫欧 @ 14A，10V
2.35V @ 25µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
1020 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-Power TDFN
IRFHM9331TRPBF
MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN
Infineon Technologies
35,098
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.48594
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta），24A（Tc）
10V，20V
10 毫欧 @ 11A，20V
2.4V @ 25µA
48 nC @ 10 V
±25V
1543 pF @ 25 V
-
2.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PQFN（3x3）
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8 FL
BSC014N04LSIATMA1
MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Infineon Technologies
72,053
现货
1 : ¥24.30000
剪切带（CT）
5,000 : ¥11.33506
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
31A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
1.45 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。