单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-AlphaMOSTrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）310mA（Ta）3.2A（Tc）25A（Ta），28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.3 毫欧 @ 20A，10V115 毫欧 @ 2.4A，4.5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 1mA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V60 pF @ 25 V330 pF @ 10 V2250 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）275mW（Ta）2W（Tc）3.1W（Ta），32W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）SOT-23-3（TO-236）SOT-323
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS123WQ-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
259,073
现货
9,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48192
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
8-DFN
AON7524
MOSFET N-CH 30V 25A/28A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
5,430
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.88050
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Ta），28A（Tc）
2.5V，10V
3.3 毫欧 @ 20A，10V
1.2V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±12V
2250 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），32W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
SOT-323
2N7002BKW,115
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Nexperia USA Inc.
23,072
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48668
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
275mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
SQ2351ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
19,629
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.59844
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.2A（Tc）
2.5V，4.5V
115 毫欧 @ 2.4A，4.5V
1.5V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±12V
330 pF @ 10 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。