单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
DTMOSIVHEXFET®
漏源电压（Vdss）
100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15.8A（Ta）33A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
44 毫欧 @ 16A，10V190 毫欧 @ 7.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.7V @ 790µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
38 nC @ 10 V71 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1350 pF @ 300 V1960 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
40W（Tc）130W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220ABTO-220SIS
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF540NPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Infineon Technologies
139,019
现货
1 : ¥7.72000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
33A（Tc）
10V
44 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TKxxA60x
TK16A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS
Toshiba Semiconductor and Storage
55
现货
1 : ¥22.74000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
15.8A（Ta）
10V
190 毫欧 @ 7.9A，10V
3.7V @ 790µA
38 nC @ 10 V
±30V
1350 pF @ 300 V
-
40W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。