单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedSTMicroelectronics
系列
-STripFET™ III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）130mA（Ta）270A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 80A，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 25 V50 pF @ 25 V7500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
10-PowerSOSOT-323
封装/外壳
PowerSO-10 裸露底部焊盘SC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
2N7002W-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodes Incorporated
291,531
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53872
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
BSS84W-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Diodes Incorporated
362,935
现货
7,167,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59042
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
PowerSO-10
STV270N4F3
MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
STMicroelectronics
1,140
现货
1 : ¥45.32000
剪切带（CT）
600 : ¥27.36175
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
270A（Tc）
10V
1.5 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。