单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Texas Instruments
系列
NexFET™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 25A，10V2.8 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 250µA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1 nC @ 10 V68 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.6 pF @ 10 V4430 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta），3.1W（Tc）3.1W（Ta），125W（Tc）
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）DFN1006B-3
封装/外壳
3-XFDFN8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
3-XQFN
NX7002BKMBYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
37,878
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.34083
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
350mA（Ta）
5V，10V
2.8 欧姆 @ 200mA，10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN1006B-3
3-XFDFN
8-Power TDFN
CSD17576Q5B
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Texas Instruments
6,377
现货
1 : ¥10.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.29625
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100A（Ta）
4.5V，10V
2 毫欧 @ 25A，10V
1.8V @ 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
4430 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。