单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronics
系列
-OptiMOS™ 6STripFET™ F7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27A（Ta），40A（Tc）120A（Tc）170A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.1 毫欧 @ 25A，10V1.8 毫欧 @ 20A，10V2.25 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 4.5 V31 nC @ 10 V42 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2700 pF @ 20 V2980 pF @ 15 V6000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），83W（Tc）91W（Tc）188W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）PG-TSDSON-8-FLPowerFlat™（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-WDFN
NTTFS4C02NTAG
MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
onsemi
1,081
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.87607
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
170A（Tc）
4.5V，10V
2.25 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±20V
2980 pF @ 15 V
-
91W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
TSDSON-8
BSZ018N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Infineon Technologies
18,099
现货
1 : ¥19.13000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.03565
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
27A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
1.8 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PowerFlat™
STL260N4LF7
N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
STMicroelectronics
2,726
现货
1 : ¥22.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.78046
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tc）
4.5V，10V
1.1 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 250µA
42 nC @ 4.5 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。